Samsung Electronics объявила о запуске серийного производства передовых микросхем памяти Double Data Rate 5. Сообщается, что впервые в отрасли для выпуска чипов DDR5 использована 14-нм технология с применением экстремальной ультрафиолетовой литографии (EUV).

За счёт использования пяти EUV-слоёв южнокорейский гигант добился увеличения ёмкости чипов и 20%-ного прироста плотности DRAM для одной кремниевой пластины. Вдобавок 14-нм техпроцесс помогает снизить энергопотребление микросхем почти на 20% относительно решений предыдущего поколения. Для 14-нм микросхем DDR5 от Samsung характерна скорость работы до 7,2 Гбит/с на контакт.

Модули памяти на основе новых чипов в первую очередь нацелены на корпоративные серверы, суперкомпьютеры и центры обработки данных. Чтобы лучше удовлетворять быстрорастущие потребности глобальных ИТ-систем Samsung планирует выпускать микросхемы DDR5 ёмкостью до 24 гигабит. Стандарт JEDEC DDR5 предусматривает чипы DRAM вместимостью до 64 Гбит.